Lendvay Ödön (1933-1990)

Rónainé Pfeifer Judit
MTA Műszaki Fizikai Kutatóintézete

Megdöbbenéssel értesültünk a hihetetlen hírről: 1990. november 20-án autóbaleset áldozata lett Lendvay Ödön az MTA Műszaki Fizikai Kutató Intézetének igazgatóhelyettese, a nemzetközi és a magyar tudományos élet tevékeny szereplője, a Fizikai Szemle szerkesztőbizottsági tagja. Alkotóképessége teljében levő egészséges ember baleseti halála mindig szívbemarkolóan drámai. Az ország, a magyar tudomány és ipar pillanatnyi helyzetében különösen az, hiszen tudjuk, hogy Lendvay Ödön pozitív megoldást keresett az általa képviselt tudományterület és szakma jelenlegi krízishelyzetében. 1990. november 20-án - igen - éppen a halála napján jött volna létre az a szindikátusi megállapodás, amely a hazai optoelektronikai kutatás-fejlesztés élvonalbeli sikeres eredményének, a híradástechnikai lézernek a hazai gyártását kívánta finanszírozni. Lendvay Ödön élete főművének tekintette az eddigi kutatások eredményeinek korszerű termékbe, gyártásba vitelét, önálló optoelektronikai alkatrész gyártó üzem és kutató-fejlesztő hely megalkotását. Hosszú és sikeres kutatói és vezetői múlt volt már mögötte, amikor a K+F után a "gyártás" szervezésébe kezdett.

Lendvay Ödön 1958-ban lépett az MTA Műszaki Fizikai Kutató Intézetébe. Kutatói pályája kezdetén fényporokkal, ZnS kristályokkal és az amorf ZnS lumineszcenciájával foglalkozott. Kristályfizikai kutatásaiért 1962-ben az Eötvös Loránd Fizikai Társulat Schmid Rezső díjában részesült. Az 1970-es évektől fokozatosan az A^IIIB^V vegyületek kutatására tért át, és vezetése alatt fejlődött ki az A^IIIB^V félvezető anyagok lumineszcens alkalmazásának rendszeres hazai kutatása. A GaSb egykristállyal és a kvaterner antimonidokkal kapcsolatos eredményei különösen jelentősek. Lendvay Ödön munkatársaival együtt részt vett a Szaljut-7 fedélzetén, az első magyar űrrepülés során végrehajtott félvezető technológiai kísérlet tervezésében és kiértékelésében. Az ún. Eötvös kísérletben GaSb kristályt növesztettek mikrogravitációs környezetben. A kísérlet jelentős nemzetközi visszhangot váltott ki: a német űrprogram keretében a Skylab fedélzetén is megismételték. A III-V antimonidok kutatása során új félvezető anyagokat, kvaterner antimonidokat (AlGaInSb és GaPAsSb) állított elő. Ezek a félvezető kristályok heterolézerek előállítására is alkalmasak voltak és Lendvay Ödön számára jelentős nemzetközi ismeretséget és elismerést hoztak.

A hazai kutatásnak viszont továbbra is problémája maradt az optoelektronikai iparág fejletlensége és a technológia lemaradása, szegénysége. Lendvay Ödön ebbe a helyzetbe nem akart beletörődni. A szellem, a kutatás, kreativitás fegyverével felvette a harcot a "nálunk ezt úgysem lehet" apátiájával szemben. A félvezető kutatások élvonalába tartozó szuperrács kutatásokban sikerült munkatársaival olyan technológiai eljárást kifejleszteni, amely hazai berendezéssel, molekulasugaras ill. fémorganikus epitaxiás reaktor nélkül is előállít nagyteljesítményű lézerdiódák, szupergyors tranzisztorok és egyéb félvezető eszközök alapanyagául szolgáló kristályokat. Utolsó munkája a hiradástechnikai lézer fejlesztésével kapcsolatos. Az optikai hírközlés számára kifejlesztett infravörös lézer nemzetközi mércével is kiváló termék gyártásának az ígéretes alapja. Itt volt a lehetőség: a hazai kutatás mellett a hazai gyártást most lehetne megszervezni! Lendvay Ödön a gyártás indításához óriási szervező munkát végzett. Felhasználta nemzetközi kapcsolatait. Külföldi vállalatokkal és hazai finanszírozókkal tárgyalt. Hihetetlen nagy veszteség az egész iparágnak, a kutatásnak, munkatársainak és tanítványainak, hogy ezt a munkát nem tudja tovább folytatni.

[1] E. Lendvay, J. Schanda J. Weiszburg: Primecsania k elektroljuminescencii ZnS: Cu, Mn na posztojannom i peremennom toka. Acta Phys. Hungar. 13 183 (1961)
[2] E. Lendvay: Luminescence of Absorbed Fluorescein. Acta Phys. Hungar. 13 249 (1961)
[3] E. Lendvay: Luminescence of Fluorescein Activated Layer Phosphors. Acta Phys. Hungar. 13 289 (1961)
[4] E. Lendvay: The Role of Surface Hydroxils of Al₂O₃. xH₂O in the Luminescence of Absorbed Fluorescein Molecules. Acta Phys. Hungar. 13 333 (1961)
[5] E. Lendvay, J. Schanda: On the Luminescence of Manganousphtalate. Acta Phys. Hungar. 13 469 (1961)
[6] E. Lendvay: Theory of Fluorescein-Activated Al₂O₃xH₂O Layer Phosphors. Acta Phys. Hungar. 14 187 (1962)
[7] E. Lendvay: On the Luminescence of Sn Activated Alkaline Earth Orthophosphate Phosphors. Phys. Stat. Sol. 2 460 (1962)
[8] E. Lendvay, J. Schanda, K. Richter, P. Kovács, M. Somogyi: Luminescent Properties of ZnS Phosphors Prepared at Room Temperature. Phys. Stat. Sol. 2 K272 (1962)
[9] E. Lendvay, J. Schanda, K. Richter, P. Kovács: On the Luminescent Properties of ZnS Phosphors Prepared at Room Temperature. Czech. J. Phys. D13 142 (1963)
[10] E. Lendvay: Luminescence and Activation of Unfired ZnS. Acta Phys. Polon. 26 689 (1964)
[11] E. Lendvay: On the Nucleation in Diffusion Crystal Growing. Acta Phys. Hungar. 17 315 (1964)
[12] E. Lendvay: Monocrystals of Mn-phtalate. Acta Phys. Hungar. 18 257 (1965)
[13] Lendvay Ö.: A kristálynövesztés diffuziós módszeréről. Magy. Fiz. Folyóirat 13 231 (1965)
[14] I. Bertóti, E. Lendvay, M. Farkas-Jahnke, M. Hársy, P. Kovács: Dendritic Growth of ZnS Crystal. Phys. Stat. Sol. 12 K1 (1965)
[15] E: Lendvay: Photoluminescence of Adsorbed Dyes. J. Phys. Chem. 69 738 (1965)
[16] E. Lendvay, P. Kovács: Growth Spirals on ZnS Crystals. Phys. Stat. Sol. 8 K125 (1965)
[17] E. Lendvay, P. Kovács: Stacking Faults in Hexagonal ZnS Rods and Needles. Acta Phys. Hungar. 20 31 (1966)
[18] I. Bertóti, E. Lendvay, M. Farkas-Jahnke, M. Hársy, P. Kovács: Dendritic Growth of ZnS Cryatals. Acta Phys. Hungar. 21 121 (1966)
[19] E. Lendvay, P. Kovács: Luminescence and Impurity Precipitation in ZnS Single Crystals with High Cu Concentrátions.-Proc. ICOL. Akadémiai Kiadó, Budapest, 1966
[20] G. Gergely, P. Kovács, E. Lendvay, P. Sviszt: Thermoluminescence of Mechanically Deformed ZnS Single Crystals. Proc. ICOL. Akadémiai Kiadó, Budapest, 1966
[21] Lendvay Ö., Farkasné Jahnke M.: ZnS kristályok szerkezete és kristályhibái. Fizikai Szemle 7 220 (1967)
[22] Lendvay Ö.: Mikrokeménység méréséről. Fizikai Szemle 19 65 (1969)
[23] E. Lendvay: On the Diffusion Method of Crystal Growth Office of Aerospace. Res. AFCRL-69-0275 No. 51. 1969 USA Air Force
[24] E. Lendvay, M. V. Fok: Microhardness Anisotropy in Cubic and Hexagonal ZnS Single Crystals. J. Mater. Sci. 4 747 (1969)
[25] I. Bertóti, M. Farkas-Jahnke, E. Lendvay, T. Németh: Heteroepitaxial Growth o ZnS on GaP. J. Mater. Sci. 4 699 (1969)
[26] E. Lendvay, P. Kovács: Hollow Single Crystals of ZnS. J. Cryst. Growth, 7 61 (1970)
[27] M. Hársy, E. Lendvay: Dislocation Etching of GaS. J. Mater. Sci. 5 828 (1970)
[28] M. Hársy, E. Lendvay: Heteroepitaxial Overgrowth of ZnS on GaS Single Crystals. J. Mater. Sci. 5 988 (1970)
[29] M. Hársy, J. Balázs, P. Sviszt, B. Pődör, E. Lendvay: Growth and Some Physical Properties of Non-Stochiometric CdS Single Crystals. J. Cryst. Growth, 9 209 (1971)
[30] P. Kovács, L. Varga, E. Lendvay: Growth of Large Dendritic ZnS Crystals from the Vapor Phase. J. Cryst. Growth 11 68 (1971)
[31] E. Lendvay: Growth of Structurally Pure Cubic and Hexagonal ZnS Single Crystals. J. Cryst. Growth 10 77 (1971)
[32] E. Lendvay, A. Kuhn, A. Chevy, T. Cova: Dislocation Etching of GaSe Single Crystals. J. Mater. Sci. 6 305 (1971)
[33] M. Hársy, N. Varga, E. Lendvay, L. Varga: Preparation and Structure of ZnS-GaS Heterojunction. "Proc. Intl. Conf. on the Phys. and Chemistry of Semicond. Heterojunctions and Layer Structures" Ed. G. Szigeti Akadémiai Kiadó, Budapest, 1971
[34] E. Lendvay, J. Balázs, M. Gál, G. Gergely, J. Schanda: Preparation and some Properties of Si-ZnS Heterojunctions. "Proc. Intl. Conf. on the Phys. and Chemistry of Semicond. Heterojunctions and Layer Structures" Ed. G. Szigeti Akadémiai Kiadó, Budapest 1971
[35] Lendvay Ö.: Kristályfelületek és diszlokációk tanulmányozása maratással. Magy. Fiz. Folyóirat 19 43 (1971)
[36] I. Hornyák, E. Lendvay: Sensitized Luminescence in Thin Layers I. J. Luminescence 3 369 (1971)
[37] Lendvay Ö.: Magas hőmérsékletű folyamatok tárgyalására használt termodinamikai közelítések és hibáik. "A félvezető kutatás kristályosodási jelenségeinek fémtani adaptációja" Szerk. Pócza J., Budapest, 1972
[38] Lendvay Ö.: Szekunder fázisok keletkezése kristályos szilárd testekben. "A félvezető kutatás kristályosodási jelenségeinek fémtani adaptációja" Szerk. Pócza J., Budapest, 1972
[39] A. Kuhn, A. Chevy, E. Lendvay: Growth of GaSe Single Crystals from Vapor Phase. J. Cryst. Growth 13 380 (1972)
[40] J. P. Gayda, A. Deville, E. Lendvay: Retrecissement du Spectre RPE du ZnS:Mn; Distance Critique d'Echange. J. Physique 33 935 (1972)
[41] I. Hornyák, E. Lendvay: Sensitized Luminescence in Thin Layers V. J. Luminescence 6 189 (1973)
[42] E. Lendvay, I. Hornyák: Excitation Dependent Fluorescence of Phenanthren. J. Luminescence 9 18 (1974)
[43] S. Kocsis, E. Lendvay: The Thermal Etching of GaP. Kristall und Technik 9 1131 (1974)
[44] L. Varga, A. T. Nagy, T. Görög, E. Lendvay: On the Characterization of Heterostructures by X-ray Diffraction Proc. 2^th European Crystallographic Meeting, Keszthely 1974. Acta Techn. Hungar. 80 293 (1975)
[45] E. Lendvay: Preparation of ZnS Single Crystals by Chemical Transport Method. Acta Techn. Hungar. 80 151 (1975)
[46] Lendvay Ö.: Félvezető fényforrások; világító diódák és lézerek. Finommech. -Mikrotechnika 17. évf. 335 (1978)
[47] T. Görög, E. Lendvay: Vapor Phase Epitaxy of A^IIIB^V Compounds. Acta Phys. Hungar. 44 13 (1976)
[48] Lendvay Ö.: Második fázisok keletkezése kristályos szilárd testekben. Magyar Fiz. Folyóirat 26 333 (1978)
[49] E. Lendvay, I. Hornyák: Sensibilized Luminescence of Linear Polyphenyls. L. Luminescence 18/19 444 (1979)
[50] E. Lendvay, I. Mojzes, I. Szép: Future Trends in Microwave Devices. Proc. Microcoll '78 Budapest, 1978. p. 178
[51] Görög T., Lendvay Ö.: GaAsP tűkristályok növekedése gőzfázisból. Magyar Fizikai Folyóirat 27 97 (1979)
[52] E. Lendvay, T. Görög, A. L. Tóth: LPE Growth of GaAsSb. ICCG-7 Vol. 3. p. 397 Moscow 1979
[53] M. Hársy, T. Görög, E. Lendvay, F. Koltai: Direct, Synthesis and Crystallization of GaSb. ICCG-7 vol. 3. p.384, Moscow 1979
[54] T. Görög, E. Lendvay: Synthesis and Crystal Growth of A^IIIB^V Compounds from Elements. Acta Phys. Hungar. 47 25 (1979)
[55] E. Lendvay: Crystal Growth in the Research Institute for Technical Physics. Acta Phys. Hungar. 47 13 (1979)
[56] T. Sebestyén, E. Lendvay, T. Görög: Quick and Automatic Determination of the Dopant Concentration Profile after the Growth of GaAs Epitaxial Layers. Acta Phys. Hungar. 47 33 (1979 )
[57] Lendvay Ö.: Technológiai kísérletek a világűrben Gépgyártástechnológia 20 281 (1980)
[58] E. Lendvay, T. Görög, L. A. Tóth: LPE Growth of GaAsSb and GaAlAsSb. Inst. Phys. London, Conf. Ser Vol. 56. London (1981) p. 139
[59] E. Lendvay: Semiconductor A^IIIB^V Antimonides. Acta Phys. Hungar 51 352 (1981)
[60] M. Hársy, T. Görög, E. Lendvay, F. Koltai: Direct Synthesis and Crystallization of GaSb. J. Cryst. Growth 53 234 (1981)
[61] E. Lendvay: LPE Growth of GaAsSb. J. Cryst. Growth 53 591 (1981)
[62] Mojzes L, Kazi K., Lendvay Ö., Makláry E., Berényi Lné, Urai L., Reisinger Gy.: Mikrohullámú számláló és csepegésmérő használata a vörösvérsejt deformabilitás mérésében. Kórház és Orvostechnika XX. évf. 1982. nov. 177. old.
[63] E. Lendvay: Liquid Phase Epitaxy of the New Quaternary Semiconductor AlGaInSb. Electronics Letters 18 407 (1982)
[64] E. Lendvay: Growth of Single Crystals of GaPAsSb. J. Crystal Growth 60 447 (1982)
[65] E. Lendvay: Chemical Revealing of Dislocationa and Stacking Faults in ZnS. J. Cryst. Growth 59 372 (1982)
[66] E. Lendvay: Formation of Cu_zS and Zn Secondary Phases in ZnS Single Crystals. J. Cryst. Growth 59 384 (1982)
[67] L. Petrás, M. Farkas-Jahnke, E. Lendvay, J. Kardos: Investigation of Composition and Defects of Quaternary Compound. Semiconductor Crystals and Layers by Diffraction Methods IDC-1982 Győr p. 140
[68] E. Lendvay: Revealing Dislocations in ZnS by Chemical Etching II-VI Compounds 1982 Ed. S. J. C. Iroine, B. Lunn J. B. Mullin és J. Woods, North Holland Publ. Co. Amaterdam, 1982. p. 375
[69] E. Lendvay: Formation of Cu_zS and Zn Secondary Phases in ZnS Single Crystals II-VI Compounds 1982 Ed. S. J. C. Iroine et. al. North Holland Publ. Co. Amsterdam 1982. p. 384
[70] Lendvay Ö.: Vegyületfélvezetők. Fizikai Szemle, 32 369 (1982)
[71] E. Lendvay: Defect Complexes in Semiconductor Structures. Lecture Notes in Phys. Vol. 175 Springer V. Berlin 1983. p. 163
[72] F. Koltai, M. Hársy, E. Lendvay: The Texture of GaSb ingots... Cryst. and Technology 18 1513 (1983)
[73] I. Gyuró, E. Lendvay ... and: V. T. Hrjapov: "The Growth of GaSb in Microgravity Condition" Intl. Astronautical Fed. 83-153. New York 1983
[74] M. Hársy, F. Koltai, I. Gyuró T. Görög, E. Lendvay: The Growth and Texture Study of GaSb Ingots. Acta Phys. Hungar. 53 133 (1982)
[75] E. Lendvay: Thermal Etching of ZnS J. Phys. D. Appl. Phys. 17 1083 (1984)
[76] E. Lendvay: New Semiconductors and their Possible Applications. Czech. J. Phys. B-34 479 (1984)
[77] E. Lendvay: Ternary A^IIIB^V Antimonides Progr. Crystal Growth and Charact. Pergamon Press, Vol. 8. 1984 p. 371
[78] Lendvay Ö.: GaAs és alkalmazásai a mikroelektronikában - GaAs and its Application in the Microelectronics. Magyar Aluminium (nemzetközi szám) 3-4, 139 (1984)
[79] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: GaAs/GaAlAs Superlattice Structures Growth by LPE Tagungsberichte der Konf. "Phys. and Technology of GaAs" Reinhardsbrunn, 1984.
[80] E. Lendvay: New TYends in the Application of III-V Semiconductors Tagungsberichte der Konf. "Phys. and Technology of GaAs" Reinhardsbrunn, 1984
[81] I. Gyuró, E. Lendvay, T. Görög, M. Hársy, I. Pozsgai, K. Somogyi, R. Koltai, T. Lohner, J. Gyulai, M. Ránky, L. Varga, J. Giber, L. Bori, L. L. Regel, N. A. Kulchinsky, V. T. Hrjapov: Crystal Growth of GaSb under Microgravitiy Conditions. Acta Astronautica, 11 361 (1984)
[82] E. Lendvay: Principles and Applications of CVD and PE CVD Methods. Proc. High Purity Mater. and their Application Dresden, 1985. Vol. 1 p. 150
[83] E. Lendvay, L. Petrás, V. A. Gevorkyan: Selective LPE of AlGaInSb onto GaSb Substrates. J. Cryst. Growth 71 317 (1985)
[84] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: Growth of GaAs/GaAlAs Superlattices and their Application in Optoelectronics Mater. Electron Technol. 105, Budapest, 1985. p. 280
[85] E. Lendvay, L. Petrás, V. A. Gevorkyan: Selective Epitaxial Growth of AlGaInSb. Acta Phys. Hungar. 57 319 (1985)
[86] E. Lendvay: Quaternary A^IIIB^V Antimonides in "Phys. and Technology of Compensated Semiconductors" Ed. V. S. Gopalam, Tata Publ. Madras, 1985
[87] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: A^IIIB^V Superlattices Grown by LPE in "Phys. and Technology of Compensated Semiconductors" Tata Publ., Madras 1985
[88] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: LPE Growth of GaAs-GaAlAs Superlattices. J. Cryst. Growth 72 (1985) 616
[89] Lendvay Ö., Görög T., Rakovics V.: Félvezető szuperrácsok előállítása és alkalmazásai. Finommech. -Mikrotechnika 1985. 10-11, 336
[90] Lendvay Ö., Lőrinczy A., Hársy M. Hoffmann Gy. Hülber E.: III-V fotodiódák és detektorok fejliesztése. Finommech. -Mikrotechnika 1985, 27, 65
[91] Lendvay Ö.: Az elektronika legújabb anyagai: A^IIIB^V félvezetők. Finommech. -Mikrotechnika 1985, 10-11, 289
[92] E. Lendvay, M. Hársy, T. Görög, I. Gyuró, I. Pozsgai, F. Koltai, J. Gyulai, T. Lohner, G. Mezey, E. Kótai, F. Pászti, V. T. Hrjapov, N. A. Kultchinsky, L. L. Regel: The Growth of GaSb under Microgravity Conditions. J. Cryst. Growth 71 (1985) 538
[93] E. Lendvay: Quaternary A^IIIB^V Antimonides in Physics and Technology of Compensated Semiconductors Ed. V. S. Gopalam, Tata Publ. New Delhi, 1985
[94] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: Growth of GaAs/GaAlAs Superlattices and their Applications in Optoelectronics in "Physics and Technology of Compensated Semiconductors" Ed. V. S. Gopalam, Tata Publ. Inc. New Delhi, 1985
[95] I. Mojzes, R. Veresegyházy, E. Lendvay: Mass-spectrometric Study of Contact Sintering in the GaSb/Au System. Thin Solid Films, 138 L-55 (1986)
[96] V. Rakovics, T. Görög, E. Lendvay: Semitransparent LPE Reactor and its Application for the Growth of the InP/InGaAsP Heterosystem. Phys. Stat. Sol. (a) 94 727 (1986)
[97] E. Lendvay, T. Görög, V. Rakovics: GaAs/GaAlAs Superlattices Grown by LPE Method. Acta Phys. Hungar. 62 (1986)
[98] E. Lendvay, T. Görög: A Novel DH Structure: the GaAs/GaPAsSb System. J. Cryst. Growth 19 928 (1986)
[99] E. Lendvay: New Semiconductors; the Pseudo-ternary A^IIIB^V Antimonides Chemtronics, 1 112 (1986)
[100] E. Lendvay, M. Hársy, T. Görög, I. Gyúró, F. Koltai J. Gyulai, T. Lohner, F. Pászti, G. Mezei, E. Kótai, M. Ránki, L. L. Regel, N. A. Kultelninsky, V. T. Hzjapov: Ekszperiment "Eötvös" viraschivanije krisztallov GaSb v uszlovijah mikrogravitacii "Szaljut 6-Szojuz" materialovedenije i technologija. Izd. Nauka, Moszkva, 1985 p. 79
[101] Lendvay Ödön: Új félvezetők kutatása. Fizikai Szemle 1987/5 p. 166
[102] T. Görög, E. Lendvay, V. Rakovics: GaAs/GaAlAs Multilayer Structures Grown by LPE. Acta Phys. Hungar. 61 149 (1987)
[103] T. Görög, E. Lendvay, V. Rakovics: GaAs/GaAlAs Multilayers Grown bz LPE Method "Galliumarsenide" Ed. E. Lendvay. Mater. Sci. Titles, TransTech Publ. Inc. Zürich 1987
[104] Lendvay Ödön: Félvezető lézerek (Az elektronika újabb eredménye, 2. kötet). Akadémiai Kiadó, Budapest, 1985
[105] Lendvay Ödön: Új félvezetők; GaAs és rokonanyagai (A szilárdtestfizika újabb eredményei, 2. kötet). Akadémiai Kiadó, Budapest 1990
[106] E. Lendvay: Lateral Change of Refractive Index in GaAs/GaAlAs Superlattice Structures Gate Anays and Semiconductor Lasers. Sozopol. 1988, p. 331
[107] T. Görög, E. Lendvay, V. Rakovics: GaAs/GaAlAs Multilayer Structures Grown by LPE Methods. ibid. p. 349
[108] E. Lendvay: Research and Development of Active Devices for Optical Telecommunication. Semiconductor Lasers, Sozopol , 1989. p. 57
[109] Lendvay Ödön: Szuperrácsú kristályszerkezetek növesztése és félvezető alkalmazásai . Fizikai Szemle 1988-6, p. 208